16nm和10nm FinFET开发的经验和益处

硅创意公司20159月在上海IPSoC大会上进行了一个演讲,全面介绍了我们把设计从180nm CMOS工艺移植到16nm10nm FinFet工艺的经验。文章里还包含了一些工艺关键点的比较。点击这里查看这篇文章的详细内容

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创作与发展办事处在佐治亚州亚特兰大克拉科夫,波兰是一个基于美国的IP开发我们专注于提供世界级的硅IP具有广泛的精密组合通用定时锁相环芯片芯片SERDES和高速差分IOS访问我们产品页面,了解更多关于我们的产品

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